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可控硅的主要参数
日期：2025-05-03 23:04
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摘要：
可控硅的主要参数：
可控硅电流
1. 额定通态电流（IT)即*大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
可控硅耐压
2. 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的一般为几百伏到一千伏。
可控硅触发电流
3. 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值
可控硅电流
1. 额定通态电流（IT)即*大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
可控硅耐压
2. 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的一般为几百伏到一千伏。
可控硅触发电流
3. 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值
