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贴片可控硅,MCR100-6,X0605,MAC97A6,MCR16,2P4M,BT169D,BT131,BT136,BT137,BTA16,可控硅厂家,高压可控硅,BTA12,三象限可控硅
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产品描述
4N65UD
KGD
0.00
【品 牌】 KGD 【品 名】= MOS 【型 号】= 4N65UD 【封装形式】= TO-251-252 【产品性能】= 高压MOS 【产品参数】4A,650V,2.5...
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KO1P13D
KGD
0.00
【品 牌】 KGD 【品 名】= MOS 【型 号】= KO1P13D 【产品性能】= P-MOS 【封装形式】= TO-252 【产品参数】-13A.-100V.170...
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GT80-1600B(Super-247)
Super-247
KGD
21.00
80A双向可控硅GT80-1600B, 1600V高压可控硅主要参数:GT80-1600B,双向,80A,1600V,Super-247 ,IGT(I/II/III)<50/50/50mA
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GT80-1200B(Super-247)
KGD
0.00
80A双向可控硅GT80-1200B, 1200V高压可控硅主要参数:GT80-1200B,双向,80A,1200V,Super-247 ,IGT(I/II/III)<50/50/50mA
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GT60-1600B(Super-247)
KGD
0.00
60A双向可控硅GT60-1600B, 1600V高压可控硅主要参数:GT60-1600B,双向,60A,1600V,Super-247 ,IGT(I/II/III)<50/50/50mA
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GT60-1200B(Super-247)
KGD
0.00
60A双向可控硅GT60-1200B, 1200V高压可控硅主要参数:GT60-1200B,双向,60A,1200V,Super-247 ,IGT(I/II/III)<50/50/50mA
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GT50-1200B(TO-247)
KGD
0.00
50A双向可控硅GT50-1200B, 1200V高压可控硅主要参数:GT50-1200B,双向,50A,1200V,TO-247,IGT(I/II/III)<50/50/50mA
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GT50-1000B(TO-247)
KGD
0.00
50A双向可控硅GT50-1000B, 1000V高压可控硅主要参数:GT50-1000B,双向,50A,1000V,TO-247,IGT(I/II/III)<50/50/50mA
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GS75-1800(Super-247)
Super-247
KGD
22.00
75A单向可控硅GS75-1800, 1800V高压可控硅主要参数:GS75-1800,单向,75A,1800V,Super-247,IGT≤80mA
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GS55-1600(TO-247)
KGD
0.00
55A单向可控硅GS55-1600高压可控硅主要参数:GS55-1600,单向,55A,1600V,TO-247,IGT≤60mA
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GS45-1600(TO-247)
KGD
0.00
45A单向可控硅GS45-1600 高压可控硅主要参数:GS45-1600,单向,45A,1600V,TO-247,IGT≤60mA
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GS35-1600(TOP3)
KGD
0.00
35A单向可控硅GS35-1600, 1600V高压可控硅主要参数:GS35-1600,单向,35A,1600V,TOP3,IGT≤60mA
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BTA20-600CW(TO-220A)
KGD
2.00
BTA20-600CW三象限可控硅主要参数:BTA20-600CW,双向,20A,600V,TO-220A,IGT(I-II-III)≤35mA
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BTA20-600BW(TO-220A)
KGD
2.00
BTA20-600BW三象限可控硅主要参数:BTA20-600BW,双向,20A,600V,TO-220A,IGT(I-II-III)≤50mA
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BTA20-800CW(TO-220A)
KGD
2.00
BTA20-800CW三象限可控硅主要参数:BTA20-800CW,双向,20A,800V,TO-220A,IGT(I-II-III)≤35mA
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BTA20-800BW(TO-220A)
KGD
2.00
BTA20-800BW三象限可控硅主要参数:BTA20-800BW,双向,20A,800V,TO-220A,IGT(I-II-III)≤50mA
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BTB20-600CW(TO-220B)
KGD
2.00
BTB20-600CW三象限可控硅主要参数:BTB20-600CW,双向,20A,600V,TO-220B,IGT(I-II-III)≤35mA
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BTA06-600TW(TO-220A)
KGD
0.80
BTA06-600TW三象限可控硅主要参数:BTA06-600TW,双向,6A,600V,TO-220A,IGT(I-II-III)≤5mA
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BTA06-600SW(TO-220A)
KGD
0.80
BTA06-600SW三象限可控硅主要参数:BTA06-600SW,双向,6A,600V,TO-220A,IGT(I-II-III)≤35mA10
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BTA06-600CW(TO-220A)
KGD
0.80
BTA06-600CW三象限可控硅主要参数:BTA06-600CW,双向,6A,600V,TO-220A,IGT(I-II-III)≤35mA
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