产品详情
简单介绍:
晶体管类型 : P沟道MOSFET
*大功耗PD : 1.25W
栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值)
漏源电压VDS :-20V(极限值)
漏极电流ID:TA=25°时:-2.3A,TA=70°时:-1.5A
通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
栅极漏电流IGSS:±100nA
结温:55℃to+150℃
封装:SOT-23(TO-236)
详情介绍:
