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雙向可控矽的基本原理
日期：2026-04-02 13:00
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摘要：
1.雙向可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控製極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。
2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控製極G的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號隻起觸發作用，冇有關斷功能，所以這種雙向可控矽是不可關斷的。
由於雙向可控矽隻有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，條件如下：
A、從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位，2、控製極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。
B、維持導通1、陽極電位高於陰極電位，2、陽極電流大於維持電流，兩者缺一不可。
C、從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位，2、陽極電流小於維持電流，任一條件即可。
觸發導通
在控製極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在雙向可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上 IGT的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控製極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。
2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控製極G的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號隻起觸發作用，冇有關斷功能，所以這種雙向可控矽是不可關斷的。
由於雙向可控矽隻有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，條件如下：
A、從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位，2、控製極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。
B、維持導通1、陽極電位高於陰極電位，2、陽極電流大於維持電流，兩者缺一不可。
C、從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位，2、陽極電流小於維持電流，任一條件即可。
觸發導通
在控製極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在雙向可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上 IGT的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
