文章詳情
可控矽的結構
日期：2026-04-02 13:24
瀏覽次數：1461
摘要：
以矽單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始於1957年,因為它的特性類似於真空閘流管,所以國際上通稱為矽晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管*初的在靜止整流方麵,所以又被稱之為矽可控整流元件,簡稱為可控矽SCR。
在性能上,可控矽不僅具有單向導電性,而且還具有比矽整流元件(俗稱"死矽")更為可貴的可控性.它隻有導通和關斷兩種狀態。
可控矽能以毫安級電流控製大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用. 可控矽的優點很多,例如:以小功率控製大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控矽的弱點:靜態及動態的過載能力較差;容易受乾擾而誤導通. 可控矽從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形.
