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雙向可控矽的正向特性
日期：2026-04-02 13:27
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摘要：
雙向可控矽的正向特性：
當雙向可控矽控製極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也隻能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓，由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴複合，同樣，進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子複合，雪崩擊穿，進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，隻要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。
當雙向可控矽控製極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也隻能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓，由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴複合，同樣，進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子複合，雪崩擊穿，進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，隻要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。
