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可控矽的觸發及結構

日期:2026-04-02 13:02
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摘要:
      可控矽的觸發
  過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控矽。   
      非過零觸發-無論交流電電壓在什麼相位的時候都可觸發導通可控矽,常見的是移相觸發,即通過改變正弦交流電的導通角(角相位),來改變輸出百分比。

      可控矽從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多。可控矽有三個電極---陽極(A)陰極(C)和控製極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結。可控矽和隻有一個PN結的矽整流二極度管在結構上迥然不同。可控矽的四層結構和控製極的引用,為其發揮“以小控大”的優異控製特性奠定了基礎。在應用可控矽時,隻要在控製極加上很小的電流或電壓,就能控製很大的陽極電流或電壓。目前已能製造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控矽元件。一般把5安培以下的可控矽叫小功率可控矽,50安培以上的可控矽叫大功率可控矽。

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