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可控矽的主要參數
日期：2026-04-02 13:00
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摘要：
可控矽的主要參數：
可控矽電流
1. 額定通態電流（IT)即*大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控矽的IT一般為一安到幾十安。
可控矽耐壓
2. 反向重複峰值電壓（VRRM)或斷態重複峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控矽的一般為幾百伏到一千伏。
可控矽觸發電流
3. 控製極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控矽的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值
可控矽電流
1. 額定通態電流（IT)即*大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控矽的IT一般為一安到幾十安。
可控矽耐壓
2. 反向重複峰值電壓（VRRM)或斷態重複峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控矽的一般為幾百伏到一千伏。
可控矽觸發電流
3. 控製極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控矽的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值
